ST 将在 IEDM 2021 上展示第一款量子点 SWIR 传感器
IEDM 新闻资料包展示了 STMicro 展示其量子点 NIR/SWIR 成像仪论文的一些数字：论文 #23.4，“针对近波和短波红外优化的 1.62μm 全局快门量子点图像传感器”，JS Steckel 等人，意法半导体NIR/SWIR 传感器创纪录的量子效率：意法半导体的研究人员将报告一种 1.62μm 像素间距全局快门传感器，用于在光谱的近红外 (NIR) 和短波红外 (SWIR) 区域成像。它展示了创纪录的光学性能：前所未有的>50% 的量子效率和>99.94% 的快门效率。这一突破是通过使用新型胶体 PbS 量子点薄膜技术实现的，并且这些设备是在 300 毫米制造工具集上制造的。[*]上图是鉴定晶片，显示 (a) 基本量子膜 (QF) 测试结构；(b) 像素矩阵测试芯片；(c) 全图像传感器产品。
[*]在中间的一组图像/绘图中，从左到右是集成在 CMOS 读出 IC 顶部的 QF 光电二极管阵列；QF 光电二极管截面；以及设备堆栈的图形描述。
[*]底部是使用 940nm NIR QF 传感器（左）和高端智能手机摄像头（右）拍摄的室外图像。NIR 图像在对比度方面显示出显着差异，并且能够清楚地识别隐藏在树叶中的黑色电线与可见图像。
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